Un grupo de investigadores chinos anuncío una nueva técnica para producir en masa obleas de materiales 2D. Esto abre el camino para electrónicos de alto rendimiento que utilicen un sucesor del silicio.
Conforme los chips semiconductores siguen evolucionando, el tamaño de los transistores se acerca a los límites físicos de la tecnología basada en silicio. La búsqueda de materiales semiconductores de próxima generación que ofrezcan un rendimiento superior se ha convertido en una prioridad global.
Entre los candidatos, los materiales bidimensionales (2D) como el disulfuro de molibdeno (MoS₂), con su estructura atómicamente delgada, son considerados sucesores prometedores para la era posterior a la Ley de Moore debido a su alta movilidad de portadores y bajo consumo energético.
Sin embargo, uno de los principales obstáculos para su comercialización ha sido la dificultad de producirlos de manera uniforme en grandes áreas y con alta calidad.
Un equipo liderado por Wang Jinlan (tercero desde la izquierda) de la Universidad del Sureste en Nanjing, anunció el 29 de enero una técnica revolucionaria para fabricar en masa obleas de material 2D. Foto: Cortesía.
Un equipo dirigido por Wang Jinlan de la Universidad del Sureste en Nanjing, trabajando con Wang Xinran y Li Taotao de la Universidad de Nanjing, anunció un avance crítico el mes pasado.